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自己紹介
基本情報
生まれ：1964年，香川県生まれ
所属：岡山大学大学院自然科学研究科産業創成工学専攻電気電子機能開発学講座
（学部）岡山大学工学部電気通信系学科
血液型：AB型
性格：温厚（なときが多い），細かい
心がけていること：いつも楽しく，優しい気持ちで。
いろんなことに想像力を働かせて多面的に物事を見られるように。
よいことは見倣おう。どんな人からも。
連絡先：yoshifumi.yamashita[at mark]okayama-u.ac.jp
最近思うこと・近況
2017.1.故中坊公平弁護士の言葉「前面の理，側面の情，背面の恐怖」を知りました。深く首肯しました。
健全な精神は健康な肉体に宿る。健康って大事です。
最近，世の中が慌しくなって，新聞を読む時間が長くなりました。単に歳をとっただけ？
今の世の中，お金以外の価値尺度ってないのかしら．．．
後生畏るべし。
研究
最近の論文
- Yoshifumi Yamashita, Ryu Nakata, Takeshi Nishikawa, Masaki Hada, and Yasuhiko Hayashi, "Expansion of Shockley stacking fault observed by scanning electron microscope and partial dislocation motion in 4H-SiC", J. Appl. Phys., 123(16),161580 (2018).
- Shinya Maki, Yoshifumi Yamashita, Tatsuya Fushimi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Takeshi Nishikawa, and Yasuhiko Hayashi, "Sb-doping effect on the dislocation motion in various Si1-xGex films", Proc. The Forum on the Sciecne and Technology of Silicon Materials 2014, p.75-80.
- Masakazu Yabuki, Yoshifumi Yamashita, Tatsuro Tokura,
Takeshi Nishikawa, and Yasuhiko Hayashi, "Electric-field
effects on the stability of impurity levels on a grain
boundary in mc-Si for solar cells", Proc. The Forum on the
Sciecne and Technology of Silicon Materials 2014,
p.209-213.
- Yoshifumi Yamashita, Kan Tanemoto, Akihiro Tanaka, and
Tatsuya Fushimi, "Effects of Sb-doping on Strain
Relaxation of SiGe Film on Si Substrate", AIP Conference
Proceedings,1583, 119 (2014).
過去の論文など
岡山大学研究者総覧でご覧ください。
教育
学部
- 複素解析（3年1学期）
- 電気通信系実験A 半導体の基礎物性（2年1-2期）
大学院
- 電子材料学特論（修士1-2学期）
- 材料物性学（博士）
その他
岡山大学研究者総覧にも情報があります。
写真
学内共用設備の走査型電子顕微鏡を用いて，
半導体の特性に大きな影響を与える結晶中の欠陥（転位欠陥，結晶粒界）の
運動を観察したり，欠陥の性質を調べたりしています。
シリコンの表面近くの電気抵抗の深さ分布を測る装置です。
装置制御PCがIBMの骨董品だった当時の懐かしい写真です。
制御用PCは更新しましたが，装置本体の性能は今でも
十分研究に使えるものです。
その他
今年の書初め （下手の横好き）
平成30年 泰然自若
平成29年 一寸光陰不可軽
平成28年 初心不可忘
平成27年 知命
平成26年 浩然乃気
平成25年 平常心
更新履歴
- 2018-1-9
-
1年ぶり(1年前は記録忘れ)に"思うこと"など数か所更新しました。
- 2016-1-13
-
今年の書初めを更新しました。
- 2015-8-26
-
アクセスカウンターを設置しました。
- 2015-7-6
-
ページタイトルと自己紹介を更新しました。
- 2015-6-22
-
「その他」に今年の書初めを掲載しました。
- 2015-5-21
-
ホームページを一新しました。