研究

研究テーマ

4H-SiC中の積層欠陥の拡大縮小に伴う部分転位運動

新しい素子の製造を妨げる欠陥の運動特性を調べています。

部分転位運動の基礎特性	積層欠陥の縁を形作る部分転位欠陥の運動特性を調べています。
電子励起下の部分転位運動	電子顕微鏡を使って電子線を当てて，部分転位の運動速度が大きくなる現象を調べています。

太陽電池用多結晶シリコン中の不純物準位の評価と制御

結晶粒界に集まる金属不純物が作る電子準位の特性を調べています。

逆バイアスアニール効果	試料に電圧をかけて少し温度を上げると，不純物準位が消滅することを見出しました。

酸化ガリウム単結晶中の欠陥評価

欠陥評価を基本にしながら，電気特性に及ぼす水素・酸素プラズマ処理の効果を調べています。

Si基板上SiGe膜中の転位運動に対するドーピング効果

高速動作素子用に期待されるSiGe膜に不純物をドープした時の転位運動を調べています。

ドーピングによる転位運動促進効果	Sbをドープすると転位欠陥の運動速度が速くなることを見出しました。

近年の論文

• Yoshifumi Yamashita, Ryu Nakata, Takeshi Nishikawa, Masaki Hada, and Yasuhiko Hayashi, "Expansion of Shockley stacking fault observed by scanning electron microscope and partial dislocation motion in 4H-SiC", J. Appl. Phys., 123(16),161580 (2018).
• Kiichiro Tagawa, Yuta Miyabe, Keishi Yasuda, Yoshifumi Yamashita, Takeshi Nishikawa, Masaki Hada, Yasuhiko Hayashi, "Reverse-bias effects of metal-related levels in mc-Si for solar cells studied by isothermal DLTS", Proc. The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 pp.300-306 (2018)
• Nobuchika Nagai, Toshiki Tanaka, Yoshifumi Yamashita, Masaki Hada, Takeshi Nishikawa, Yasuhiko Hayashi, "Effects of remote hydrogen-plasma treatment on electrical properties of b-Ga₂O₃", Proc. The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 pp.387-391 (2018)
• Yoshifumi Yamashita, Kan Tanemoto, Akihiro Tanaka, and Tatsuya Fushimi, "Effects of Sb-doping on Strain Relaxation of SiGe Film on Si Substrate", AIP Conference Proceedings,1583, 119 (2014).