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研究室行事等いろいろ（スライドショー）
研究関係
FIB/SEM装置
学内共同利用装置です。
我々は走査電子顕微鏡として4H-SiC中の積層欠陥の拡大や縮小現象の観察に用いたり，
EBSP法による太陽電池用多結晶シリコンの結晶粒界解析に用いています。
mc-SiのEBSP測定結果
左の装置で太陽電池用多結晶シリコンの結晶粒を観察した結果です。 結晶の粒の向きにより色付けしています。色々な方向を向いた結晶粒が寄り集まっていることが分かります。
4H-SiC中の積層欠陥の拡大
左端の装置で4H-SiC中の積層欠陥(SF)の拡大を観察した結果です。 SEMで観察（電子線を当てる）と横に伸びる黒い線(SFと表面との交線)が伸びていることが分かります。
拡がり抵抗測定装置
試料表面の数ミクロン以下のごく浅い部分の抵抗率分布を測定します。
主にシリコンに用いられますが，その他の半導体にも用います。
リモートプラズマ処理
プラズマを用いて色々なガス分子を原子にして，半導体に侵入させます。 この方法で半導体の電気的特性の制御を目指します。
MBE装置
Si基板上SiGe膜を作製します。
膜の歪緩和の基となる転位運動の解明や発光元素Erに対する歪の効果を調べました。
2018.3引退しました。