★参加・講演申し込み方法
6月1日より受付開始しました。下記をご確認の上，
本ページよりダウンロードした申込書にてお申し込みください。
| 参加費 |
（招待・一般）
講演の有無によらず，一般：35,000円 学生：15,000円 |
| 参加申込方法 |
下記の『シリ
コンフォーラム2018参加申込書』
（ファイル名siforum2018sanka.xlsx）をダウンロードし，①参加申込書のみをご記入の上，
10月19日までに，下記のフォーラム事務局までE-mailの添付ファイルでお申込みください。
参加費は，参加申込期限までに別途お知らせする口座へお振込みください。
なお，振込手数料は参加者様のご負担にてお願いいたします。 |
| 参加申込締切 |
10月19日（金） |
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| 講演申込方法 |
講演形式は，ショートプレゼンテーションを含むポスター発表となります。
『シリコンフォーラム2018参加申込書』をダウンロードし，
①参加申込書と②講演申込書の両方を記入の上，
E-mailにて下記フォーラム事務局までお申込みください。。 |
| 講演申込締切 |
10月12日（金）
（2週延長しました！再延長はありません。） |
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論文原稿作成要領
および提出先
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英語，ページ数の上限はありません。
こちらのMS Wordのテンプレート
をダウンロードしてご使用ください。
提出は，pdf形式の電子ファイルを下記のフォーラム事務局まで
電子メールの添付ファイルでお送りください。
（ただし，フォント埋込，300dpi以上の画像解像度で作成してください。）
原稿はカラーでも結構ですが，プロシーディ
ングス冊子の印刷は モノクログレースケールですのでご注意ください。 |
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論文原稿の提出締切 |
10月26日（金）
（1週延長しました！再延長はありません。） |
ダウンロード： シ
リコンフォーラム2018 参加申込書
論文原稿テンプレート（MS Word）
参加申込・論文原稿提出先：シリコンフォーラム事務局
siforum2018★okayama-u.ac.jp
★ポスター発表要領
| 日時・場所 |
11月19日
（月) 15:55-17:45
ショートプレゼンテーション(講演会場）
17:45-19:45
ポスター発表（2階会議室）
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| ショー トプレゼンテーション |
●3
分間2分間の英語による発表。質疑応答はありません。
Office2016がインストールされているプレゼン用PCを準備します。
●月曜午後の開始(13:30)までにファイルをPCにコピーして下さい。
ファイル名の最初に半角4桁の講演番号「PXYY」(X:A,B,C,D or E, YY:番号)を付けて下さい。
講演番号は講演者にメールで通知されるともにWebにも掲載します。
ファイルは終了後，実行委員が責任を持って消去します。
ご不安がある方はショートプレゼン終了直後の消去にお立会い下さい。
●ご自身のPCをお使い頂くことはできません。
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| ポスター作成と掲示 |
●パネルサイズは，W900mm×H2100mm
英語での作成をお願いします。
日曜17:00までにポスターボードとプッシュピン（粘着テープは使えません）を準備します。
月曜午後のセッションが始まるまでにポスターを貼って下さい。（日曜のウエルカムパーティ前に貼って頂き，ポスターの筒を月曜までお預かりすることもできます。）
火曜11時05分（Break終了時）までに剥がして下さい。それ以降残っているポスターは，
事務局で剥がし受付で保管しますので，フォーラム終了までに引き取りに来て下さい。
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★Young
Researcher Poster Award
| 優れたポスター発表をした
若手研究者を表彰します。
ただし，ポスター発表日に，35歳以下，または大学・大学院の学生であることが
条件です。
エントリーを希望される場合は，「論文原稿」提出時にエントリーの意志をメール本文に
記載してください。
審査では，ショートプレゼンテーション，ポスタープレゼンテーション，
プロシーディングス原稿などから総合的に評価を行います。 |
これまでの受賞者
2014年（第7回浜松）
- Takuya Hiramatsu
(Nagoya Univ.) “Calculation of
temperature distribution for controlling
growth of dendrite crystals to decrease
dislocation density in a multicrystalline
silicon ingot”
- Daiki Shibata (Okayama
Pref. Univ.) “Ab initio analysis on
stability of metal atoms in β-Si3N4/Si
structure”
2010年（第6回岡山）
- Satoko Nakagawa
(Covalent Silicon Corp.) “Quantitative
Analysis of Low-Concentration Carbon in
Silicon Wafers by Luminescence Activation
Using Electron Irradiation”
- Hiroaki Kariyazaki
(Okayama Pref. Univ.) “Molecular
simulation on interfacial structure of
direct silicon bonded (110)/(100)
substrates”
- Futoshi Okayama
(ISAS/JAXA, Meiji Univ.) “Deep-Level
Photoluminescence Analysis at Room
Temperature in Small-Angle Grain Boundaries”
★エクスカーション
9/10現在の予定
11月20日（火） 12:40から
バス3台で岡山大学出発
終了後，岡山駅方面
および リーセントカルチャーホテルまでバスでお送りします。
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