シリコン材料の科学と技術フォーラム2018 
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018

2018.10.30 確定プログラム
(ポスター番号を含むタイムテーブルはこちら


11月18日(日)

16:00-19:00 Registration(講演会場にて)
18:00-20:00 Welcome Party(講演会場東向かいピーチユニオン3F食堂)




11月19日(月)

AM

8:30-8:45    Opening address   末岡浩治


8:45-9:15 Prof. Jan Vanhellemont追悼 座長: 末岡浩治,太子敏則

  8:45-9:15
末岡浩治 (岡山県立大学, 太子敏則(信州大学), 他


9:15-10:25 シ リコン結晶成長・ウェーハ
座長: 佐俣秀一,藤森洋行

  9:15-9:55
中村 浩三 (岡山県立大学) The Effect of Impurities and Thermal Stress on Point Defects and the Grown-in Defect Formation during Single Crystal Silicon Growth from a Melt
  9:55-10:25
横山 竜介 (SUMCO/九州大学)
Time Dependent Behavior of the Melt Flow in the 300mm Silicon Czochralski Growth with a Transverse Magnetic Field


10:25-10:40 Break


10:40-12:30 欠陥・微量不純物・ゲッタリング・評価 座長: 柿本浩一,鹿島一日児

  10:40-11:20 G. Kissinger (IHP GmbH) On the impact of deposited nitride layers on oxide precipitation in Czochralski silicon
  11:20-12:00 M. Sluydts (Ghent Univ.) The road to accuracy: machine-learning-accelerated silicon ab initio simulations
  12:00-12:30 堀川 智之 (グローバルウェーハズ・ジャパン)
Analysis of Oxygen Precipitates by High-parallel X-ray Diffuse Scattering


12:30-13:30 Lunch

PM

13:30-15:40 欠陥・微量不純物・ゲッタリング・評価
座長: 田島道夫,深田直樹

  13:30-14:10 E. Simoen (IMEC)
Metal contamination in semiconductor devices: a neveer ending story?
  14:10-14:40 杉江 隆一 (東レリサーチセンター)
Semi-quantitative analysis of process-induced defects in silicon devices by cathodoluminescence
  14:40-15:10 三次 伯知 (SUMCO)
Novel Measurement Methods for Low Carbon Concentration in Silicon using DLTS and room temperature PL

15:10-15:40 永井 勇太 (グローバルウェーハズ・ジャパン)
Reduction of carbon during crystal growth and impact of carbon on bulk lifetime of Si crystal


15:40-15:55 Break


15:55-17:45 ショートプレゼンテーション 座長: 村上進,山下善文
(上の「ショートプレゼンテーション」をクリックするとプログラム(pdf)が見られます。)



17:45-19:45 ポスターセッション   座長: 村上進,山下善文





11月20日(火)

AM

8:30-10:50 パワーデバイス・材料
 座長: 金田寛,山本秀和

  8:30-9:10 久保田 弘 (熊本大学) New cleanroom technology realizing Japanese semiconductor mass production under innovative energy saving
  9:10-9:50 G. Wachutka (Tech. Univ. Munich)
Virtual Prototyping of High Power Devices and Modules
  9:50-10:20 西澤 伸一 (九州大学)
Future Power Devices and Semiconductor Wafer Materials

10:20-10:50 湊 忠玄 (三菱電機)
Si wafer material as key issue for high voltage bipolar power device: Effects of residual oxygen and carbon in FZ, MCZ and Epitaxy


10:50-11:05 Break


11:05-12:35 ポストシリコンパワーデバイス・材料
座長: 土田秀一,太子敏則

  11:05-11:35 三谷 武志 (産総研)
Solution growth of 4H-SiC bulk crystal: Effect of additives on step structures of 4H-SiC crystals
  11:35-12:05 佐々木 公平 (ノベルクリスタルテクノロジ―)
Development of Ga2O3 vertical trench SBDs and FETs
  12:05-12:35 石川 由加里 (ファインセラミックスセンター)
Characterization of dislocations in wide bandgap semiconductors


PM

12:35 グループ写真撮影
12:40-18:00 エクスカーション
18:00-21:00 Banquet (Young Researcher Poster Award)





11月21日(水)

AM

8:30-10:40 シリコン太陽電池関連 座長: Simona Binetti,棚橋克人

  8:30-9:10 S. Binetti (Univ. Milano-Bicocca) 
Photoluminescence and infrared spectroscopy for impurities identification  in silicon for photovoltaic applications
  9:10-9:40 小椋 厚志(明治大学)
Research on crystalline Si solar cells by universities in Japan under NEDO support
  9:40-10:10 沓掛 健太朗 (理研) Generation and propagation of defects in multicrystalline silicon for solar cells

10:10-10:40 末益 崇 (筑波大学) Present status and future prospect of BaSi2 solar cells


10:40-10:55 Break


10:55-12:35 イメージセンサデバイス・材料 座長: 栗田一成,高橋秀和


10:55-11:35 川人 祥二 (静岡大学)
Recent Progress of Image Sensor Device and Technology

11:35-12:05 後藤 正英 (NHK技研)
Pixel-Parallel Three-Dimensional Integrated CMOS Image Sensors by Using Direct Bonding of Silicon-on-Insulator Wafers for Next-Generation Television Systems

12:05-12:35 山口 直 (ルネサスエレクトロニクス)
Investigation of Implantation Damage Recovery and Gettering Technology for CMOS Image Sensors


12:35-13:00 Snack


PM

13:00-14:30 イ メージセンサデバイス・材料  座長: 小椋厚志,志村考功

  13:00-13:30 佐藤 好弘 (パナソニック)
Characterization of Residual Defects Created in Si Substrates
  13:30-14:00 庄山 敏弘 (キヤノン)
Influence of various impurities on performance of CMOS image sensor
  14:00-14:30 奥山 亮輔 (SUMCO)
Diffusion behavior of hydrogen in molecular ion implanted silicon epitaxial wafers for advanced CMOS image sensor


14:30-14:45 Closing remarks     末岡浩治



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