2018.10.30
確定プログラム (ポスター番号を含むタイムテーブルはこちら)
11月18日(日)
16:00-19:00 |
Registration(講演会場にて) |
18:00-20:00 |
Welcome
Party(講演会場東向かいピーチユニオン3F食堂) |
11月19日(月)
8:30-8:45
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Opening
address |
末岡浩治
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8:45-9:15 |
Prof.
Jan Vanhellemont追悼 |
座長: 末岡浩治,太子敏則
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8:45-9:15
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末岡浩治
(岡山県立大学, 太子敏則(信州大学), 他 |
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9:15-10:25 |
シ
リコン結晶成長・ウェーハ
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座長: 佐俣秀一,藤森洋行
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9:15-9:55
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中村 浩三 (岡山県立大学)
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The Effect of Impurities
and Thermal Stress on Point Defects and
the Grown-in Defect Formation during
Single Crystal Silicon Growth from a
Melt
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9:55-10:25
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横山 竜介 (SUMCO/九州大学)
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Time Dependent Behavior
of the Melt Flow in the 300mm Silicon
Czochralski Growth with a Transverse
Magnetic Field
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10:40-12:30
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欠陥・微量不純物・ゲッタリング・評価
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座長: 柿本浩一,鹿島一日児
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10:40-11:20 |
G. Kissinger (IHP GmbH)
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On the impact of
deposited nitride layers on
oxide precipitation in Czochralski
silicon
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11:20-12:00 |
M. Sluydts (Ghent Univ.)
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The road to accuracy:
machine-learning-accelerated silicon ab initio
simulations
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12:00-12:30 |
堀川 智之 (グローバルウェーハズ・ジャパン)
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Analysis of Oxygen
Precipitates by High-parallel X-ray
Diffuse Scattering
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13:30-15:40
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欠陥・微量不純物・ゲッタリング・評価
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座長: 田島道夫,深田直樹
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13:30-14:10 |
E.
Simoen (IMEC)
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Metal
contamination in semiconductor devices:
a neveer ending story?
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14:10-14:40 |
杉江 隆一 (東レリサーチセンター)
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Semi-quantitative
analysis of process-induced defects in
silicon devices by cathodoluminescence
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14:40-15:10 |
三次 伯知 (SUMCO)
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Novel
Measurement Methods for Low Carbon
Concentration in Silicon using DLTS and
room temperature PL
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15:10-15:40 |
永井 勇太
(グローバルウェーハズ・ジャパン)
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Reduction
of carbon during crystal growth and
impact of carbon on bulk lifetime of Si
crystal
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(上の「ショートプレゼンテーション」をクリックするとプログラム(pdf)が見られます。)
11月20日(火)
8:30-10:50
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パワーデバイス・材料
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座長: 金田寛,山本秀和
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8:30-9:10 |
久保田 弘
(熊本大学) |
New
cleanroom technology realizing Japanese
semiconductor mass production under
innovative energy saving
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9:10-9:50 |
G. Wachutka (Tech. Univ.
Munich)
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Virtual
Prototyping of High Power Devices and
Modules |
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9:50-10:20 |
西澤 伸一 (九州大学)
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Future
Power Devices and Semiconductor Wafer
Materials |
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10:20-10:50 |
湊 忠玄 (三菱電機)
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Si
wafer material as key issue for high
voltage bipolar power device: Effects of
residual oxygen and carbon in FZ, MCZ
and Epitaxy
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11:05-12:35
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ポストシリコンパワーデバイス・材料
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座長: 土田秀一,太子敏則
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11:05-11:35 |
三谷 武志
(産総研)
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Solution
growth of 4H-SiC bulk crystal: Effect of
additives on step structures of 4H-SiC
crystals
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11:35-12:05 |
佐々木 公平
(ノベルクリスタルテクノロジ―)
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Development
of Ga2O3 vertical trench SBDs and
FETs
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12:05-12:35 |
石川 由加里
(ファインセラミックスセンター)
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Characterization
of dislocations in wide bandgap
semiconductors
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18:00-21:00 |
Banquet (Young
Researcher Poster Award)
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11月21日(水)
8:30-10:40
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シリコン太陽電池関連 |
座長: Simona Binetti,棚橋克人
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8:30-9:10 |
S.
Binetti (Univ. Milano-Bicocca)
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Photoluminescence
and infrared spectroscopy for impurities
identification in silicon for
photovoltaic applications |
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9:10-9:40 |
小椋
厚志(明治大学)
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Research
on crystalline Si solar cells by
universities in Japan under NEDO support
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9:40-10:10 |
沓掛 健太朗
(理研) |
Generation
and propagation of defects in
multicrystalline silicon for solar cells
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10:10-10:40 |
末益 崇 (筑波大学) |
Present status and future prospect of BaSi2 solar cells
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10:55-12:35
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イメージセンサデバイス・材料 |
座長: 栗田一成,高橋秀和
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10:55-11:35 |
川人 祥二 (静岡大学)
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Recent Progress of Image
Sensor Device and Technology
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11:35-12:05 |
後藤 正英 (NHK技研)
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Pixel-Parallel
Three-Dimensional Integrated CMOS Image
Sensors by Using Direct Bonding of
Silicon-on-Insulator Wafers for
Next-Generation Television Systems
|
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12:05-12:35 |
山口 直 (ルネサスエレクトロニクス)
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Investigation of
Implantation Damage Recovery and
Gettering Technology for CMOS Image
Sensors
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13:00-14:30
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イ
メージセンサデバイス・材料 |
座長: 小椋厚志,志村考功 |
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13:00-13:30 |
佐藤 好弘 (パナソニック)
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Characterization of Residual Defects Created in Si Substrates |
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13:30-14:00 |
庄山 敏弘 (キヤノン)
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Influence
of various impurities on performance of
CMOS image sensor |
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14:00-14:30 |
奥山 亮輔 (SUMCO)
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Diffusion
behavior of hydrogen in molecular
ion implanted silicon epitaxial wafers
for advanced CMOS image sensor
|
14:30-14:45 |
Closing
remarks |
末岡浩治 |
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